Kategoria guztiak
Abiadura Handiko Fotodetektagailua

Abiadura Handiko Fotodetektagailua

Hasiera> Produktuak > Abiadura Handiko Fotodetektagailua

FCAMPD-1
FCAMPD-5
FCAMPD-4
FCAMPD-3
FCAMPD-2
FCAMPD-1
FCAMPD-5
FCAMPD-4
FCAMPD-3
FCAMPD-2

LK-FCAMD RF anplifikatua InGaAs fotodetektagailua


  • Banda zabalera zabala
  • Bias-T integratua
  • O/E Hibrido Integratua
  • High Gain, Low Noise, Broadband
  • SMA konektorea
  • Low Dark Current, High signal-to-noise ratio
  • Forma-faktore txikia.
Produktuaren Deskribapena

LK-FCAMPD is a fusion of optical and electronic technology, integrating a broadband InGaAs photodiode with a low-noise amplifier. This device is sensitive to wavelengths between 1000 and 1650nm, thanks to its InGaAs PIN photodiode, and the low-noise amplifier provides an RF gain ranging from 20 to 30dB.

LK-FCAMPD offers configurable bandwidth options, including 1 gigahertz, 2.5 gigahertz, and customizable bandwidths up to a maximum of 5 gigahertz. The device operates on a +5-volt power supply and features a standard FC (face-contacted) fiber-optic connector for optical input. The RF output is facilitated through an SMA-compatible connector, which is impedance-matched to 50 ohms.

LK-FCAMPD is lightweight, with a mass of less than 25 grams, making it suitable for various portable and compact applications. It is certified to comply with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0, indicating its commitment to environmental and safety standards.

Ezaugarri teknikoak
Tipikoa eta Absolutua Gehienezko Balorazioa
Parametroa Sym. Typ Balorazioa Unitatea
Biltegirako tenperatura-tartea TSTG -45 ~ +85 -55 ~ +100
Funtzionamendu-kaxa tenperatura-tartea TC 25 -40 ~ +70
Alborapen-tentsioa VR +5 +4.75 ~ +5.25 V
Sarrerako potentzia optikoa Pin 0 +5 dBm
Erredura-potentzia optikoa PB - + 13 dBm
Berun soldadura tenperatura Tp 280 (10 s) 330 (10 s)
Ezaugarri elektriko/optikoak (TC = 22 ± 3 ℃)
Parametroa ikur Probaren egoera Parametroen balioak Unitatea
Uhin-luzeraren barrutia λ - 1000 ~ 1650 nm
Maiztasun-tartea - - L - Band S - Band CM -
Seinale txikiko banda-zabalera f-3dB TC = 22 ± 3 ℃ 0.03 ~ 1 0.03 ~ 2.5 0.1 ~ 5 GHz
Erantzukizuna Re VR =+5V, Pin =1mW λ = 1310 nm ≥ 0.85 ≥ 0.90 ≥ 0.90 A / W
λ = 1550 nm ≥ 0.90 ≥ 0.90 ≥ 0.90
RF Signal Gain G - 30 ± 2 20 ± 2 20 ± 2 dB
Anplitudearen lautasuna A TC =-40~+70 ℃ ≤ ± 1.5 ≤ ± 1.5 ≤ ± 2 dB
Irteera VSWR VSWR - ≤ 2 ≤ 2 ≤ ± 2.2 -
Saturazio-potentzia optikoa Ps VR = +5 V, λ = 1550 nm
AC modulatua
+5 dBm
Saturazio RF irteerako potentzia Pout - 15 dBm
Korronte iluna ID - ≤ 10 nA
Irteera inpedantzia RL - 50 Ω

● Erantzun-kurba tipikoak

( Fig . 1 L- Band FCAMPD InGaAs Photodetector Frequency Response)

( Fig . 2 S- Band FCAMPD InGaAs Photodetector Frequency Response)

( Fig . 3 C- Band FCAMPD InGaAs Photodetector Frequency Response)

● Dimentsioak eta pinak (unitatea: mm [hazbete])

Konektore optikoa: FC (aurpegiarekin kontaktuan dagoen) zuntz optikoko konektorea

RF konektorea: SMA

● Ordering Information

1. orria:

kodea Banda-zabalera analogikoa
L 0.03 ~ 1 GHz
S 0.03 ~ 2.5 GHz
CM Pertsonalizazioa (≦ 5GHz)

● Neurriak

  • Ziurtatu zuntz akoplamenduaren alderdia garbi dagoela optozirkuitura konektatu aurretik.

  • RF interfazea eta interfaze optikoa hauts-tapoi batekin estali behar dira erabiltzen ez direnean.

  • The suitable ESD protection is required in storage, transportation and using .

Gure fotodetektagailu estandar guztiak modulutan pertsonaliza daitezke!

aplikazioak
  • Radar Informazioaren Prozesamendua

  • Gerra Elektronikoa

  • Antena Neurketa

  • Zuntz optikoko komunikazioak

  • Segurtasuna eta Zaintza

INQUIRY